В основе биполярного транзистора лежит полупроводниковый материал, который может быть как n-типа, так и p-типа. Биполярный транзистор состоит из трех слоев полупроводникового материала, которые образуют две pn-перехода. Эти слои обычно обозначаются как:
- Эмиттер (E): Этот слой обычно имеет высокий уровень легирования и может быть как n-типа, так и p-типа. Его основная функция - обеспечить приток носителей заряда (электронов или дырок) в транзистор.
- База (B): Этот слой легируется менее интенсивно, чем эмиттер, и имеет противоположный тип проводимости по сравнению с эмиттером. База является ключевым элементом, который контролирует ток через транзистор.
- Коллектор (C): Этот слой также легируется, но обычно не так сильно, как эмиттер. Коллектор принимает носители заряда, которые проходят через базу.
Биполярные транзисторы бывают двух типов:
- NPN: В этом типе транзистора эмиттер легирован n-типом, а база и коллектор - p-типом. Ток проходит от эмиттера к коллектору через базу, где он контролируется.
- PNE: В этом случае эмиттер легирован p-типом, а база и коллектор - n-типом. Процесс работы аналогичен, но ток движется в противоположном направлении.
Таким образом, биполярный транзистор работает на основе управления потоком носителей заряда через базу при помощи внешнего сигнала, что позволяет использовать его в качестве усилителя или переключателя в различных электрических схемах.